La Universidad de Tokio desarrolla un prototipo de memoria flash orgánica

Investigaciones de la Universidad de Tokio han desarrollado lo que ellos llaman la memoria flash orgánica, que comparte su estructura básica con la memoria flash, pero se hace enteramente de materiales orgánicos. Su lectura y borrado de las tensiones se han valorado en un 6V baja y 1V, respectivamente, aunque los datos sólo se pueden grabar y borrar más de 1.000 veces. Usos previstos de la nueva memoria se incluyen los sensores área grande, de papel electrónico y otros dispositivos electrónicos grandes, a pesar de admitir que la retención de los fundadores de la tecnología de memoria en tiempo de sólo un día ha de ser prorrogado.

Desarrollado por un grupo encabezado por Someya Takeo y Tsuyoshi Sekitani, profesor e investigador asociado en el Departamento de Ingeniería Eléctrica y de Sistemas de Información, Escuela Superior de Ingeniería de la Universidad de Tokio, el prototipo utiliza una Naftalato de polietileno (PEN) como una hoja de resina sustrato con una matriz de 26 células por 26 2T de memoria en el mismo. La hoja es lo suficientemente flexible para ser doblados hasta que su radio es de 6 mm, sin causar daños. La retención de la memoria a corto se puede aumentar mediante la reducción del tamaño del elemento y el empleo de una mayor auto-ensambladas monocapa (SAM), que está hecho de ácido fosfórico con una cadena de alquilo. En el prototipo, es 2nm delgada. [a través de Tech-On]

Publicado el diciembre 17, 2009 en Informática, Tecnología y etiquetado en , , , , , . Guarda el enlace permanente. Deja un comentario.

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